硅

1. 基本特性:
   原子量 28.086
   電離電位 8.1 （ev）
   離解能 8.3 （ev）
2. 樣品處理:
   LiBO₃; HNO₃+HF+HBO3; NaOH.
3. 分析條件
   分析線 251.6 nm
   狹縫 0.2 nm
   空心陰極燈電流（w） 2.5 mA

4. 干擾:
   光譜干擾:
       元素      譜線（nm）
        Hf        251.7
        V         251.7
   化學(xué)干擾:
       K,Na,Al,Ca,H₃PO₄.
5. 標(biāo)準(zhǔn)溶液制備:
   儲備液: 1000 ug/ml
       <1>溶解5.056g硅酸鈉[Na2SiO3.9H2O]于300ml去離子水中并用鹽酸調(diào)節(jié)PH約為5. 稀釋至500ml存于聚乙烯瓶中.
       <2>在鉑坩鍋中加熱15分鐘熔化0.241g二氧化硅和4.6g碳酸鈉.冷卻后用去離子水稀釋至100ml并保存于聚乙烯瓶中.
  分析液:
     在每次分析前，用水稀釋儲備液。同時(shí)加氫氧化鈉調(diào)節(jié)鈉離子濃度到恒定水平.

6. 火焰標(biāo)準(zhǔn)條件:
   火焰類型 氧化亞氮－乙炔，還原焰（富燃，紅色）
   燃?xì)鈮毫?Mpa 流量 l/min
   助燃?xì)鈮毫?Mpa 流量 l/min
   火焰高度（mm） 
   長度（mm） 50
   特征濃度（ug/ml） 1.8
   線性范圍（ug/ml） 0--150
其它分析線:
    波長nm      相對靈敏度
    251.6          1.0
    250.7          2.8
    252.8          3.2
    252.4          3.7
    221.7          4.3
    221.1          8.0

7. 火焰發(fā)射
   火焰        狹縫（nm）     波長（nm）
  N₂O-C₂H₂       0.2         251.6

8. 石墨爐標(biāo)準(zhǔn)條件
   *灰化溫度（鳦） : 1600
   *原子化溫度（鳦）: 2800
   特征量 （Pg） : 200
   線性范圍（Pg） : 10000

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